Weißes Papier
Backup-DC/DC-Wandler
Siliziumkarbid (SiC) prägt die Zukunft von Elektrofahrzeugen und sorgt für mehr Effizienz und Leistung in Bordladegeräten und DC/DC-Wandlern. Um Ingenieure bei der Bewältigung der Designkomplexität der Strommessung in diesen Anwendungen zu unterstützen, haben wir zusammengearbeitet mit Texas Instruments für einen genaueren Blick auf einige der führenden Sensor- und Schutzmethoden.
In diesem Expertengespräch erläutern Mark Ng, Director of Automotive Systems bei Texas Instruments, und Andreas Heim, Vice President of Engineering for Automotive bei Flex, wichtige Ansätze zum Kurzschlussschutz für SiC-Leistungs-MOSFETs – darunter Shunt-basierte, Entsättigungs- und Hall-Effekt-Strommessung.
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